Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STFW4N150

Name: STMicroelectronics STFW4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW4N150
Price: 23.69 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STFW4N150

Nr prod.:

STFW4N150

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STFW4N150 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STFW4N150

Na stanie magazynowym: 354

Stany magazynowe:: 354 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	23,69 zł	23,69 zł
	18,15 zł	181,50 zł
	14,66 zł	1 466,00 zł
	13,07 zł	7 842,00 zł
	11,18 zł	13 416,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-3PF-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.5 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	50 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	63 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerMESH
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	STFW4N150
Wielkość opakowania producenta:	300
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Jednostka masy:	7 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STFW4N150 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.