Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 627
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors N-Ch 65 Volt 4 Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors N-Ch 65 Volt 4 Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors N-Ch 65 Volt 5 Amp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 120
Wielokr.: 120
Szpula: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 300
Szpula: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F.
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 80
Wielokr.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10
Wielokr.: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 10
Wielokr.: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Toshiba RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
MACOM RF MOSFET Transistors Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 20
Wielokr.: 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM RF MOSFET Transistors 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Karta charakterystyki
Czas realizacji 36 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM RF MOSFET Transistors 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 20
Wielokr.: 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM RF MOSFET Transistors 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 20
Wielokr.: 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro RF MOSFET Transistors Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon RF MOSFET Transistors ART150PEG/REEL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors ART150PE/REELDP
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray