MRF1K50N Seria Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50
Szpula: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel