RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
20Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel