ART LDMOS RF Power Transistors

Ampleon Advanced Rugged Technology (ART) LDMOS RF Power Transistors are designed to cover a wide range of applications for ISM, broadcast, and communications. These power transistors feature dual-sided ESD protection, enabling class C operation and complete switch-off. The ART LDMOS RF power transistors offer high efficiency, excellent thermal stability, and excellent ruggedness with no device degradation. These power transistors feature nominal output powers of 35W and 2500W. The ART LDMOS RF power transistors are ideal for industrial, scientific, medical, broadcast, and radar applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie


Ampleon RF MOSFET Transistors ART35FE/SOT467C/TRAY 237Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel