ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz-28GHz)

Analog Devices ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz to 28GHz) is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier. The amplifier operates between 2GHz and 28GHz. The amplifier provides 15.5dB of gain, a 2.5dB noise figure, 26dBm output third-order intercept (OIP3), and 20dBm of output power for 1dB compression (P1dB) while requiring 53mA from a 5V supply. The Analog Devices  ADL9006 is self-biased, with only a single positive supply needed to achieve a supply current (IDD) of 53mA.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier 2 GHz to 30 GHz LNA
Karta charakterystyki
38Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 GHz to 28 GHz 4 V to 7 V 53 mA 15.5 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 20 dBm 26 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier 2 GHz to 30 GHz LNA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

2 GHz to 28 GHz 15.5 dB 2.5 dB SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 18 dBm 19.5 dBm - 40 C + 85 C Reel