T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Technologia P1dB – Punkt kompresji Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Qorvo RF Amplifier 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
700Oczekiwane: 10.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo RF Amplifier 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle