HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz)

Analog Devices Inc. HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz) are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifiers. The HMC8412 operates from 0.4GHz to 11GHz and provides a typical gain of 15.5dB, a 1.4dB (typical) noise figure, and a typical output third-order intercept (OIP3) of ≤33dBm, requiring only 60mA from a 5V drain supply voltage. The saturated output power (PSAT) of ≤20.5dBm (typical) allows the low noise amplifier (LNA) to function as a local oscillator (LO) driver for many ADI balanced, in-phase, and quadrature (I/Q) or image rejection mixers.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie NF – współczynnik szumów Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Technologia P1dB – Punkt kompresji OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier LNA 0.4 11 GHz 1 640Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

400 MHz to 11 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 18 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier LNA 0.4 11 GHz 488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 500

Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices RF Amplifier .LNA 0.4 11 GHz 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

400 MHz to 11 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT GaAs 18 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier .LNA 0.4 11 GHz Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

400 MHz to 10 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT GaAs 32 dBm - 55 C + 85 C Reel