QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
Rodzaj
Styl mocowania
Technologia
Seria
Opakowanie
Qorvo RF Amplifier 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo RF Amplifier 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa Niedostępne na stanie
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel