ADL8121 GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8121 GaAs (Gallium Arsenide) pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Low Noise Amplifier operates from 0.025GHz to 12.0GHz and provides a typical gain of 16.5dB. The ADL8121 Amplifier features a low a 2.5dB typical noise figure and a typical output third-order intercept (OIP3) of 36dBm. The 21.5dBm saturated output power (PSAT) enables the device to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), and image rejection mixers.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier 0.1 12 GHz High Linear LNA
Karta charakterystyki
75Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier 0.1 12 GHz High Linear LNA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 11 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Reel