QPA3069 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA3069 100W GaN Power Amplifier is a packaged, high-power S-band amplifier ideal for military radar systems. The amplifier covers a 2.7GHz to 3.5GHz frequency range and is fabricated on Qorvo’s production 0.25μm gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN25). QPA3069 provides 50dBm saturated output power and 25dB large-signal gain while achieving 53% power-added efficiency. QPA3069 is packaged in a 7mm x 7mm 48-pin plastic overmolded package. QPA3069 MMIC has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
Rodzaj
Styl mocowania
Technologia
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Qorvo RF Amplifier 90W S-band PA
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 29.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Bag
Qorvo RF Amplifier 2.7-3.5 GHz, 100W GaN PA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
Szpula: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 31.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Reel