ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers

Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifier that operates from 18GHz to 44GHz. The amplifier provides a gain of 21.5dB, an output power for 1dB compression (P1dB) of 31dBm, and a typical output third-order intercept (IP3) of 41dBm. The ADPA7007 requires 1400mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds less than 0.31mm long.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie NF – współczynnik szumów Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Technologia P1dB – Punkt kompresji OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier 31 dBm P1dB, 20 dB gain
404Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB Power Amplifiers SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 42.5 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier 31 dBm P1dB, 20 dB gain
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

20 GHz to 44 GHz 5 V 1.4 A 20.5 dB 6 dB SMD/SMT CLCC-HS-18 GaAs 29 dBm 41 dBm - 40 C + 85 C Reel