ADL8150 Low Phase Noise Amplifiers

Analog Devices Inc. ADL8150 Low Phase Noise Amplifiers are self-biased gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), heterojunction bipolar transistor (HBT), low phase noise amplifier that operates from 6GHz to 14GHz. The ADL8150 Amplifiers feature 12dB of typical signal gain, 18dBm output power at 1dB gain compression (OP1dB), and a typical output third-order intercept (OIP3) of 30dBm.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier Low Phase Noise Amplifier
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

6 GHz to 14 GHz 3 V to 6 V 74 mA 12 dB 3.6 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 18 dBm 30 dBm - 40 C + 85 C ADL8150 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier Low Phase Noise Amplifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

6 GHz to 14 GHz 5 V 74 mA 10.5 dB 3.8 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 17.5 dBm 30 dBm - 40 C + 85 C ADL8150 Reel