6ED223xS12T EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER™ Level Shift Gate Driver ICs are high voltage (up to 1200V), high-speed insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with three independent high-side and low-side referenced output channels for three-phase applications. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable a ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS or TTL outputs, down to 3.3V logic. This resistor can also derive an over‐current protection (OCP) function that terminates all six outputs.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba sterowników
Liczba wyjść
Prąd wyjścia
Napięcie zasilania – min.
Napięcie zasilania – max.
Konfiguracja
Czas narastania
Czas zanikania
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER
Karta charakterystyki
956Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers 3-Phase / Three Phase SMD/SMT DSO-24 3 Driver 3 Output 650 mA 13 V 20 V Inverting 35 ns 20 ns - 40 C + 125 C EiceDRIVER Three Phase Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Gate Drivers 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 23.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

IGBT, MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT DSO-24 6 Driver 6 Output 650 mA 13 V 20 V Inverting 35 ns 20 ns - 40 C + 125 C Infineon SOI Reel, Cut Tape