NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Wyniki: 1 613
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Wielkość pamięci Organizacja Czas dostępu Maksymalna częstotliwość zegara Rodzaj interfejsu Napięcie zasilania – max. Napięcie zasilania – min. Prąd zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M 209Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

72 Mbit 4 M x 18 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 150MHz, Commercial Temp 510Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 256 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 190Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M 14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 490 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 76Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 173Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
36 Mbit 1 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 32Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

72 Mbit 1 M x 72 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 405 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

72 Mbit 2 M x 36 8.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 16Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M 10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 13Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M 12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 36M 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 235 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 16Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray