QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Seria Wielkość pamięci Rodzaj interfejsu Organizacja Rodzaj odmierzania czasu Szerokość magistrali danych Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Prąd zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Winbond NAND Flash 512Mb Serial NAND flash, 3V 3 184Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND Flash 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 81Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND Flash 2G-bit Serial NAND flash, 1.8V 3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N02JW 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube

Winbond NAND Flash 2G-bit Serial NAND flash, 3V 18Na stanie magazynowym
4 947Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube