QPD1016LEVB01

Qorvo
772-QPD1016LEVB01
QPD1016LEVB01

Produc.:

Opis:
RF Development Tools DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.

Na stanie magazynowym: 1

Stany magazynowe:
1
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1
Oczekiwane: 19.02.2026
Średni czas produkcji:
16
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
7 634,13 zł 7 634,13 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Qorvo
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt dostępny tylko dla klientów OEM/EMS i profesjonalnych projektantów. Produkt nie jest wysyłany do konsumentów w UE i w Wielkiej Brytanii.
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Transceiver
QPD1016L
Marka: Qorvo
Opakowanie: Bag
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Seria: QPD1016L
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPD1016LEVB01 Evaluation Board

Qorvo QPD1016LEVB01 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPD1016L GaN RF Transistor. The QPD1016L is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.