MRFE6VS25GN-960

NXP Semiconductors
771-MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GN-960

Produc.:

Opis:
RF Development Tools MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:
2 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
1 tydzień Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
5 824,31 zł 5 824,31 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
NXP
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
RoHS:  
Reference Design Boards
RF Transistor
MRFE6VS25N
960 MHz to 1.215 GHz
Marka: NXP Semiconductors
Napięcie robocze zasilania: 50 V
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Seria: MRFE6VS25N
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: 935392203598
Jednostka masy: 453,592 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
9030908050
ECCN:
EAR99

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.