Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 16.51 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGLD65R110D2AUMA

Nr prod.:

IGLD65R110D2AUMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGLD65R110D2AUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1

Na stanie magazynowym: 2 696

Stany magazynowe:: 2 696 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,51 zł	16,51 zł
	11,01 zł	110,10 zł
	8,47 zł	847,00 zł
	7,53 zł	3 765,00 zł
	7,14 zł	7 140,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	6,11 zł	18 330,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PG-LSON-8
Polaryzacja tranzystora:	HEMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	20 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	140 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.2 V
Qg – ładunek bramki:	2.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	51 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	20 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	GaN Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	7 ns
Seria:	650 V G5
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	10 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns
Nazwy umowne nr części:	IGLD65R110D2 SP005918714

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGLD65R110D2AUMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.