Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 15.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGC033S10S1XTMA1

Nr prod.:

IGC033S10S1XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGC033S10S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGC033S10S1XTMA1

Na stanie magazynowym: 1 225

Stany magazynowe:: 1 225

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 10 000

Oczekiwane: 23.02.2026
Średni czas produkcji:: 20

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,70 zł	15,70 zł
	10,71 zł	107,10 zł
	8,47 zł	847,00 zł
	7,18 zł	3 590,00 zł
	6,88 zł	6 880,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	5,81 zł	29 050,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PG-TSON-6
Polaryzacja tranzystora:	HEMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	76 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.9 V
Qg – ładunek bramki:	11 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	45 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	Tranistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	100V G3
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Rodzaj:	CoolGaN Transistor
Nazwy umowne nr części:	IGC033S10S1 SP005751571

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGC033S10S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

CoolGaN™ 100V G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 Transistors are normally OFF, enhancement-mode (e-mode) power transistors in compact housing. These transistors feature low on-state resistance, making the devices an ideal choice for reliable performance in demanding high-current and high-voltage applications. The CoolGaN transistors are designed to improve thermal management. Typical applications include audio amplifier solutions, photovoltaic, telecommunication infrastructure, e‑Mobility, robotics, and drones.