Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IGC025S08S1XTMA1

Name: Infineon IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC025S08S1XTMA1
Price: 16.21 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IGC025S08S1XTMA1

Nr prod.:

IGC025S08S1XTMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

IGC025S08S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IGC025S08S1XTMA1

Na stanie magazynowym: 6 355

Stany magazynowe:: 6 355 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	16,21 zł	16,21 zł
	10,88 zł	108,80 zł
	8,04 zł	804,00 zł
	7,18 zł	3 590,00 zł
	6,62 zł	6 620,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	5,76 zł	28 800,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	86 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	6.5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.9 V
Qg – ładunek bramki:	12 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	45 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	CoolGaN
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Produkt:	Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	60 V - 120 V G3
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	P-Channel
Rodzaj:	CoolGaN
Nazwy umowne nr części:	IGC025S08S1 SP006027447

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IGC025S08S1XTMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.