HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Wyniki: 720
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs 44 Amps 800V
Karta charakterystyki
226Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Karta charakterystyki
597Na stanie magazynowym
700Oczekiwane: 17.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 110 Amps 250V
Karta charakterystyki
662Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
Karta charakterystyki
1 298Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
356Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
Karta charakterystyki
217Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
Karta charakterystyki
434Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 151 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 10A
Karta charakterystyki
179Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 110Amps 150V
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 12A
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 14A
Karta charakterystyki
306Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
32Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
250Oczekiwane: 23.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
86Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
222Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Karta charakterystyki
83Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 7 Amps 1000V
Karta charakterystyki
181Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Karta charakterystyki
171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
89Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 03.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Karta charakterystyki
50Na stanie magazynowym
1 350Oczekiwane: 13.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Karta charakterystyki
145Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 170 Amps 150V 0.013 Rds
Karta charakterystyki
38Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube