IXFH10N80P

IXYS
747-IXFH10N80P
IXFH10N80P

Produc.:

Opis:
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 280

Stany magazynowe:
280 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
30,32 zł 30,32 zł
16,46 zł 164,60 zł
13,94 zł 1 672,80 zł
13,52 zł 6 895,20 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
IXYS
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
1.1 Ohms
- 30 V, 30 V
5.5 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: KR
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: KR
Czas zanikania: 22 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 7 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 22 ns
Seria: IXFH10N80P
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 62 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 21 ns
Jednostka masy: 6 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99