HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Wyniki: 720
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs 12 Amps 1000V
Karta charakterystyki
1 382Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Karta charakterystyki
1 276Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
Karta charakterystyki
199Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 16.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 1
Karta charakterystyki
280Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Karta charakterystyki
139Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
Karta charakterystyki
277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 331Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 30A
Karta charakterystyki
77Na stanie magazynowym
2 550Oczekiwane: 28.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Karta charakterystyki
490Na stanie magazynowym
180Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
Karta charakterystyki
1 167Na stanie magazynowym
780Oczekiwane: 10.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Karta charakterystyki
1 481Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Karta charakterystyki
280Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 36A
Karta charakterystyki
274Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 23.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 44A
Karta charakterystyki
228Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 16.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Karta charakterystyki
475Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
270Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
Karta charakterystyki
164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 156 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
851Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Karta charakterystyki
534Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Karta charakterystyki
389Na stanie magazynowym
1 450Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
Karta charakterystyki
639Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
Karta charakterystyki
1 398Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Karta charakterystyki
123Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
Karta charakterystyki
207Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 13.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
Karta charakterystyki
130Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube