Wyniki: 36
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
2 798Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Karta charakterystyki
4 094Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
Karta charakterystyki
529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
5 856Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Karta charakterystyki
515Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
Karta charakterystyki
969Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Karta charakterystyki
702Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh
Karta charakterystyki
708Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
Karta charakterystyki
1 683Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
1 225Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
Karta charakterystyki
2 190Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
504Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
493Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
431Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
Karta charakterystyki
739Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
Karta charakterystyki
8 345Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
1 996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Karta charakterystyki
338Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
Karta charakterystyki
786Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
1 959Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
1 353Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 10.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Karta charakterystyki
136Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
Karta charakterystyki
441Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Karta charakterystyki
229Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 14.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
Karta charakterystyki
376Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube