Wyniki: 25
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
1 432Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
2 811Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Karta charakterystyki
420Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
569Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
609Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
1 596Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
1 135Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
443Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 02.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
413Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
1 925Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 13 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
2 538Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
Karta charakterystyki
533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Karta charakterystyki
456Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 03.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
335Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
84Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
Karta charakterystyki
191Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
37Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 27.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
858Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
720Oczekiwane: 16.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
Czas realizacji 11 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube