Wyniki: 31
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 1 452Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 1 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 2 956Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 3 804Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 2 125Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 13 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 435Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 397Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3 583Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 3 468Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 274Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 2 540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 261Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4.5 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 22 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 868Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 1 321Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 1 432Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 531Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 15A TO220-3 306Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 63 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 489Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 226Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY 6Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.2 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3.9 V 15 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3 249Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3 240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube