Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 45
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
85Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Karta charakterystyki
73Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
594Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Karta charakterystyki
510Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Karta charakterystyki
1 597Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Karta charakterystyki
593Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Karta charakterystyki
400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
996Oczekiwane: 22.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
1 113Oczekiwane: 10.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Karta charakterystyki
844Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
100Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS