Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 43
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Karta charakterystyki
2 309Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 19.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Karta charakterystyki
38Na stanie magazynowym
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
448Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
301Na stanie magazynowym
600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
256Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
611Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Karta charakterystyki
246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
487Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
481Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Karta charakterystyki
1 404Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 29.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
22Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 29.01.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Karta charakterystyki
125Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 02.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Karta charakterystyki
103Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 03.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Karta charakterystyki
32Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 29.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Karta charakterystyki
733Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Karta charakterystyki
334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Karta charakterystyki
1 301Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Karta charakterystyki
4 893Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Karta charakterystyki
14Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 29.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 16.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Karta charakterystyki
14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel