Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 35.99 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SGT65R65AL

Nr prod.:

SGT65R65AL

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

SGT65R65AL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SGT65R65AL

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 62 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	35,99 zł	35,99 zł
	24,90 zł	249,00 zł
	20,25 zł	2 025,00 zł
	20,12 zł	10 060,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	17,46 zł	52 380,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerFLAT-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	25 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	65 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.8 V
Qg – ładunek bramki:	5.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	305 W
Marka:	STMicroelectronics
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Seria:	SGT
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN-on-Si
Rodzaj tranzystora:	E-Mode
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Jednostka masy:	76 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SGT65R65AL Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.