Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 11

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 41,88 zł
969Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

969Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

41,88 zł

29,03 zł

24,51 zł

Opakowanie zbiorcze

20,81 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: 83,55 zł
47Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 20.04.2026

Produc. Nr części
SCTW90N65G2V

Nr części Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

47Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 20.04.2026

83,55 zł

74,78 zł

67,08 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 46,66 zł
1 082Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT027H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 082Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

46,66 zł

32,85 zł

28,55 zł

Opakowanie zbiorcze

24,25 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 40,08 zł
547Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

547Na stanie magazynowym

40,08 zł

23,95 zł

22,79 zł

19,74 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 46,31 zł
641Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

641Na stanie magazynowym

46,31 zł

37,67 zł

31,39 zł

27,99 zł

23,82 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 31,43 zł
1 779Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT055TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT055TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 779Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

31,43 zł

22,88 zł

19,09 zł

16,99 zł

15,14 zł

Opakowanie zbiorcze

15,09 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 35,52 zł
37Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT040TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

37Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

35,52 zł

24,98 zł

19,82 zł

Opakowanie zbiorcze

16,81 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 57,23 zł
202Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT018H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

202Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

57,23 zł

40,42 zł

36,85 zł

Opakowanie zbiorcze

31,26 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 58,78 zł
532Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT018W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

532Na stanie magazynowym

58,78 zł

45,49 zł

43,99 zł

42,87 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 46,31 zł
57Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT055W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

57Na stanie magazynowym

46,31 zł

37,67 zł

31,39 zł

23,78 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 36,42 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT018H65G3-7

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni

Opakowanie zbiorcze

36,42 zł

Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Szpula: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie