Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 10

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 49,14 zł
860Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT027H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

860Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

49,14 zł

34,31 zł

27,89 zł

Opakowanie zbiorcze

26,38 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 33,05 zł
1 754Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT055TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT055TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 754Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

33,05 zł

22,60 zł

18,65 zł

16,93 zł

15,50 zł

Opakowanie zbiorcze

15,50 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 67,45 zł
455Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT018W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

455Na stanie magazynowym

67,45 zł

51,37 zł

42,80 zł

38,14 zł

35,66 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 41,66 zł
517Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

517Na stanie magazynowym

41,66 zł

25,03 zł

22,30 zł

21,46 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 48,47 zł
481Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

481Na stanie magazynowym

48,47 zł

35,11 zł

30,07 zł

25,91 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 59,85 zł
45Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 26.02.2027

Produc. Nr części
SCT018H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

45Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 26.02.2027

Odcinek taśmy

59,85 zł

42,21 zł

40,36 zł

35,99 zł

Opakowanie zbiorcze

33,60 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 43,72 zł
843Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040H65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

843Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

43,72 zł

30,32 zł

23,94 zł

Opakowanie zbiorcze

22,64 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 37,25 zł
8Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 13.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040TO65G3

Nr części Mouser
511-SCT040TO65G3

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

8Na stanie magazynowym

1 800Oczekiwane: 13.07.2026

Odcinek taśmy

37,25 zł

25,58 zł

20,50 zł

19,49 zł

18,31 zł

Opakowanie zbiorcze

18,31 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 54,31 zł
7Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 05.10.2026

Produc. Nr części
SCT055W65G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

7Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 05.10.2026

54,31 zł

41,37 zł

37,04 zł

30,03 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 31,50 zł
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT018H65G3-7

Nr części Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni

Opakowanie zbiorcze

31,50 zł

Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie