Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 10

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Kwalifikacje
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: 51,48 zł 442Na stanie magazynowym 1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT027H65G3AG Nr części Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	442Na stanie magazynowym 1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień	Odcinek taśmy 51,48 zł 29,30 zł 29,22 zł Opakowanie zbiorcze 27,63 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: 42,72 zł 457Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT040W65G3-4 Nr części Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	457Na stanie magazynowym	42,72 zł 23,36 zł 21,38 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 50,25 zł 429Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT040W65G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	429Na stanie magazynowym	50,25 zł 37,44 zł 31,24 zł 27,81 zł 25,96 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: 38,02 zł 1 394Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SCT055TO65G3 Nr części Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	1 394Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 38,02 zł 25,96 zł 21,43 zł 19,05 zł 17,86 zł Opakowanie zbiorcze 17,86 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: 49,81 zł 507Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 02.07.2027	Produc. Nr części SCT040H65G3AG Nr części Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	507Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 02.07.2027	Odcinek taśmy 49,81 zł 37,14 zł 30,93 zł 27,54 zł Opakowanie zbiorcze 25,78 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: 62,30 zł 5Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 15.10.2027	Produc. Nr części SCT018H65G3AG Nr części Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	5Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 15.10.2027	Odcinek taśmy 62,30 zł 37,36 zł Opakowanie zbiorcze 34,89 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: 42,46 zł 8Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 05.02.2027	Produc. Nr części SCT040TO65G3 Nr części Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Karta charakterystyki	8Na stanie magazynowym 1 800Oczekiwane: 05.02.2027	Odcinek taśmy 42,46 zł 30,01 zł 24,99 zł 22,31 zł 20,81 zł Opakowanie zbiorcze 20,81 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 70,66 zł 600Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT018W65G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Karta charakterystyki	600Dostępna ilość z otwartych zamówień	70,66 zł 53,86 zł 44,88 zł 37,36 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: 44,44 zł 600Oczekiwane: 07.05.2027	Produc. Nr części SCT055W65G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Karta charakterystyki	600Oczekiwane: 07.05.2027	44,44 zł 32,12 zł 26,80 zł 23,89 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: 59,62 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni Nowe produkty	Produc. Nr części SCT018H65G3-7 Nr części Mouser 511-SCT018H65G3-7 Nowe produkty	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni	Odcinek taśmy 59,62 zł 35,33 zł Opakowanie zbiorcze 33,44 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Zastosowane filtry: