2N7002L 6V N-channel MOSFETs

Texas Instruments 2N7002L 6V N-channel MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance while maintaining fast switching performance. These MOSFETs are field-effect transistors in a plastic package with a low gate threshold voltage and low input capacitance. The 2N7002L N-channel MOSFETs feature a 6V drain-to-source voltage, 7V gate-to-source voltage, 1.4A source current, and 1.43A pulsed drain current (tp =1s). These MOSFETs operate over a -65°C to 150°C temperature range and include a 260°C lead temperature for soldering. Typical applications include personal electronics, building automation, and industrial automation.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Tryb kanału Opakowanie
Texas Instruments MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe
1 000Oczekiwane: 03.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 6 V 1.4 A 3 Ohms 7 V 950 mV 34 pC - 40 C + 125 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel