Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

2N7002LDBVR

Name: Texas Instruments 2N7002LDBVR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-2N7002LDBVR
Price: 2.93 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

595-2N7002LDBVR

Nr prod.:

2N7002LDBVR

Produc.:

Texas Instruments

Opis:

MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

2N7002LDBVR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Texas Instruments 2N7002LDBVR

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,93 zł	2,93 zł
	2,00 zł	20,00 zł
	1,27 zł	127,00 zł
	0,785 zł	392,50 zł
	0,592 zł	592,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,50 zł	1 500,00 zł
	0,441 zł	2 646,00 zł
	0,386 zł	3 474,00 zł
	0,349 zł	8 376,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Texas Instruments
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	6 V
Id – Ciągły prąd drenu:	1.4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	7 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	950 mV
Qg – ładunek bramki:	34 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Czas zanikania:	55 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.1 ns
Seria:	2N7002L
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel