CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Texas Instruments MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
Karta charakterystyki
14 268Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
Karta charakterystyki
17 112Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 19.9 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel