CSD25310Q2T

Texas Instruments
595-CSD25310Q2T
CSD25310Q2T

Produc.:

Opis:
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 17 112

Stany magazynowe:
17 112 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
2,03 zł 2,03 zł
1,75 zł 17,50 zł
1,63 zł 163,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
1,63 zł 407,50 zł
1,62 zł 810,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
2,07 zł
Min.:
1

Podobny produkt

Texas Instruments CSD25310Q2
Texas Instruments
MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
P-Channel
1 Channel
20 V
20 A
19.9 mOhms
- 8 V, 8 V
1.1 V
4.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 34 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 15 ns
Seria: CSD25310Q2
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
Jednostka masy: 6 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.