Wyniki: 26
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
40 949Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
3 993Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
873Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
2 289Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Karta charakterystyki
129Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
1 363Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
569Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
1 482Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Karta charakterystyki
4 168Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
132Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
414Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 02.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
42Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 23.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
31Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
233Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
276Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
70Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 30.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
348Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
508Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Karta charakterystyki
387Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube