GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Produc.:

Opis:
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 4 664

Stany magazynowe:
4 664 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
10,71 zł 10,71 zł
6,97 zł 69,70 zł
6,79 zł 339,50 zł
4,82 zł 482,00 zł
3,99 zł 1 995,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
3,88 zł 9 700,00 zł
3,37 zł 16 850,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Tranzystory GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Marka: Nexperia
Konfiguracja: Single
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Opakowanie: MouseReel
Rodzaj produktu: GaN FETs
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Technologia: GaN
Nazwy umowne nr części: 934667630341
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Dwukierunkowy tranzystor FET GaN GANB4R8-040CBA

GANB4R8-040CBA firmy Nexperia to dwukierunkowy tranzystor FET z azotku galu (GaN) o wysokiej mobilności elektronów (HEMT) 40 V, 4,8 mΩ. GANB4R8-040CBA to tranzystor FET typu normally-off zapewniający doskonałą sprawność. Nexperia GANB4R8-040CBA jest dostępny w obudowie Wafer-Level Chip Scale (WLCSP).