QPD0005 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) in a plastic overmold DFN package. These RF transistors operate over a 2.5GHz to 5GHz frequency range. Qorvo QPD0005 GaN RF Transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering PSAT of 8.7W at 48V operation. These transistors come in a 4.5mm x 4.0mm package and are RoHS compliant. Applications include WCDMA / LTE, macrocell base station, microcell base station, small cell, active antenna, 5G massive MIMO, and general-purpose applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Qorvo GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor Czas realizacji 9 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 100

48 V
Qorvo GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

48 V