Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 42.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-GAN041-650WSBQ

Nr prod.:

GAN041-650WSBQ

Produc.:

Nexperia

Opis:

GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Karta charakterystyki:

GAN041-650WSBQ Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia GAN041-650WSBQ

Na stanie magazynowym: 239

Stany magazynowe:: 239 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 4 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	42,59 zł	42,59 zł
	37,55 zł	375,50 zł
	25,83 zł	2 583,00 zł
	25,54 zł	12 770,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 30)
	37,55 zł	1 126,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	SOT-429-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	47.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	41 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	22 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	187 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	10 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Nazwy umowne nr części:	934661752127
Jednostka masy:	123 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Kody zgodności

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

Tranzystor FET GAN041-650WSB na bazie azotku galu (GaN)

Tranzystor GAN041-650WSB na bazie azotku galu (GaN) firmy Nexperia oferuje napięcie dren-źródło 650 V, prąd znamionowy drenu 47,2 A i maksymalną rezystancję 41 mΩ. Umieszczany w obudowie TO-247 tranzystor GAN041 jest urządzeniem normalnie wyłączonym, które łączy w sobie wysokonapięciową technologię HEMT H2 GaN i niskonapięciową technologię tranzystorów krzemowych MOSFET. Połączenie tych technologii zapewnia najwyższą niezawodność i wydajność. Tranzystor FET GAN041-650WSB GaN firmy Nexperia nadaje się idealnie do bezmostkowych układów PFC ze wzmacniaczem przeciwsobnym (totem-pole), serwonapędów silnikowych oraz przetwornic o mocnym i łagodnym przełączaniu do zasilaczy przemysłowych i teleinformatycznych.