Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 12

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 44,73 zł
4 262Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 16.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLT65R025D2AUMA1

Nr części Mouser
726-IGLT65R025D2AUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

4 262Na stanie magazynowym

1 800Oczekiwane: 16.07.2026

Odcinek taśmy

44,73 zł

32,05 zł

25,66 zł

21,80 zł

Opakowanie zbiorcze

21,80 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 14,07 zł
4 514Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLR65R140D2XUMA1

Nr części Mouser
726-IGLR65R140D2XUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

4 514Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

14,07 zł

9,24 zł

6,47 zł

5,42 zł

5,29 zł

Opakowanie zbiorcze

4,49 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 9,53 zł
4 860Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLR65R200D2XUMA1

Nr części Mouser
726-IGLR65R200D2XUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

4 860Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

9,53 zł

5,92 zł

4,24 zł

3,56 zł

3,37 zł

Opakowanie zbiorcze

2,95 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: 8,99 zł
4 886Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLR65R270D2XUMA1

Nr części Mouser
726-IGLR65R270D2XUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

4 886Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

8,99 zł

5,46 zł

3,86 zł

3,16 zł

Opakowanie zbiorcze

2,46 zł

Przeglądaj

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 5 000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 31,33 zł
1 338Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLT65R045D2ATMA1

Nr części Mouser
726-IGLT65R045D2ATMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 338Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

31,33 zł

20,08 zł

15,88 zł

15,20 zł

14,95 zł

Opakowanie zbiorcze

12,89 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 23,60 zł
521Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 16.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLT65R055D2ATMA1

Nr części Mouser
726-IGLT65R055D2ATMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

521Na stanie magazynowym

1 800Oczekiwane: 16.07.2026

Odcinek taśmy

23,60 zł

15,83 zł

12,39 zł

11,42 zł

11,38 zł

Opakowanie zbiorcze

10,16 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 15,62 zł
1 621Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLT65R110D2ATMA1

Nr części Mouser
726-IGLT65R110D2ATMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 621Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

15,62 zł

10,08 zł

7,64 zł

6,76 zł

6,51 zł

Opakowanie zbiorcze

5,80 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 46,49 zł
986Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGOT65R025D2AUMA1

Nr części Mouser
726-IGOT65R025D2AUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

986Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

46,49 zł

34,69 zł

27,22 zł

26,67 zł

Opakowanie zbiorcze

22,60 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 39,48 zł
486Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGOT65R035D2AUMA1

Nr części Mouser
726-IGOT65R035D2AUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

486Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

39,48 zł

27,47 zł

21,17 zł

17,98 zł

Opakowanie zbiorcze

17,98 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 31,88 zł
1 378Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGOT65R045D2AUMA1

Nr części Mouser
726-IGOT65R045D2AUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 378Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

31,88 zł

21,38 zł

16,00 zł

15,58 zł

Opakowanie zbiorcze

13,78 zł

13,44 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: 26,63 zł
623Na stanie magazynowym
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGOT65R055D2AUMA1

Nr części Mouser
726-IGOT65R055D2AUMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

623Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

26,63 zł

17,18 zł

13,06 zł

10,54 zł

Opakowanie zbiorcze

10,54 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

GaN FETs HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: 38,35 zł
1 788Oczekiwane: 02.07.2026
Nowe produkty

Produc. Nr części
IGLT65R035D2ATMA1

Nr części Mouser
726-IGLT65R035D2ATMA

Nowe produkty

Infineon Technologies

GaN FETs HV GAN DISCRETES

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 788Oczekiwane: 02.07.2026

Odcinek taśmy

38,35 zł

26,59 zł

20,37 zł

17,30 zł

Opakowanie zbiorcze

17,30 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie