Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 860Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 859Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 412Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 951Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 204Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 22.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
4 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape