Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

ISC008N06LM6ATMA1

Name: Infineon ISC008N06LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC008N06LM6ATMA
Price: 14.83 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-ISC008N06LM6ATMA

Nr prod.:

ISC008N06LM6ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Stany magazynowe:: 3 052 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,83 zł	14,83 zł
	10,25 zł	102,50 zł
	8,74 zł	874,00 zł
	7,85 zł	3 925,00 zł
	7,01 zł	7 010,00 zł
	6,93 zł	17 325,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	6,93 zł	34 650,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PG-TDSON-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	378 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	800 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.3 V
Qg – ładunek bramki:	68 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	221 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	AT
Kraj pochodzenia:	AT
Czas zanikania:	7.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	150 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.8 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	48.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12.5 ns
Nazwy umowne nr części:	ISC008N06LM6 SP005570789