SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Toshiba MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A
Karta charakterystyki
9 007Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V
Karta charakterystyki
5 948Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape