Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SSM10N954L,EFF

Name: Toshiba SSM10N954L,EFF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM10N954LEFF
Price: 3.62 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-SSM10N954LEFF

Nr prod.:

SSM10N954L,EFF

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs TCSPAC N-CH 12V 13.5A

Karta charakterystyki:

SSM10N954L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba SSM10N954L,EFF

Na stanie magazynowym: 9 007

Stany magazynowe:: 9 007 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,62 zł	3,62 zł
	2,70 zł	27,00 zł
	2,26 zł	226,00 zł
	2,22 zł	2 220,00 zł
	2,05 zł	5 125,00 zł
	1,94 zł	9 700,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
	1,92 zł	19 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TCSPAC-153001-10
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	12 V
Id – Ciągły prąd drenu:	13.5 A
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.4 V
Qg – ładunek bramki:	25 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.4 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Czas zanikania:	2.3 us
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.3 us
Wielkość opakowania producenta:	10000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	5.3 us
Typowy czas opóźnienia włączenia:	1 us

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SSM10N954L,EFF Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.

Gate Driver + MOSFET for 5V to 24V Line Power MUX

Toshiba Gate Driver + MOSFET for 5V to 24V Line Power MUX is used for power multiplexing, an important feature in applications that require main power supplies to have backup supplies or swapping between charging protocols such as Wireless to USB. Toshiba's TCK42xG series gate driver solution addresses various challenges present in power multiplexing and supports 5V to 24V powerlines.