Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3
10Oczekiwane: 25.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C