Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

APTGX600A170TDP3EG

Name: Microchip APTGX600A170TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX600A170TDP3EG
Price: 801.74 PLN
Availability: OutOfStock

Nr Mouser:

579-TGX600A170TDP3EG

Nr prod.:

APTGX600A170TDP3EG

Produc.:

Microchip Technology

Opis:

IGBT Modules PM-IGBT-TFS-DP3

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

APTGX600A170TDP3EG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 10

Oczekiwane: 25.01.2027
Średni czas produkcji:: 66

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	801,74 zł	801,74 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Microchip
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguracja:	Dual
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.7 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.7 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	600 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	200 nA
Pd – strata mocy:	2.272 kW
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Marka:	Microchip Technology
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	Not Available
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Press Fit
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Technologia:	Si

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

APTGX600A170TDP3EG Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.