CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
133Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
118Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
138Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 23.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
119Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
1 391Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
1 071Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
643Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Karta charakterystyki
710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
754Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
162Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Karta charakterystyki
1 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC