RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Wszystkie wyniki (163)

Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2 873Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5 850Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7 383Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 7 254Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 6 190Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5 892Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6 676Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323 14 335Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 6 017Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 14 778Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3 510Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8 550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 638Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 6 420Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 962Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1 154Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 3 829Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7 757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 372Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4 630Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5 805Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 5 442Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15 409Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 2 566Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15 327Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000