RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Wszystkie wyniki (163)

Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 42 180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37 637Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35 170Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9 284Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2 531Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5 558Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 998Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2 730Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 985Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4 724Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 700Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 772Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 762Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 32 535Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5 961Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 1 515Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 9 256Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6 045Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11 246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000