RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Wszystkie wyniki (163)

Wybierz kategorię poniżej, aby zobaczyć opcje filtrowania i zawęzić kryteria wyszukiwania.
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
Karta charakterystyki
34 280Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Karta charakterystyki
41 880Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
37 518Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Karta charakterystyki
7 700Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
4 724Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Karta charakterystyki
7 762Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
Karta charakterystyki
5 757Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
6 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
Karta charakterystyki
6 250Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
Karta charakterystyki
5 644Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Karta charakterystyki
5 998Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
Karta charakterystyki
1 948Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 20.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Karta charakterystyki
5 980Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Karta charakterystyki
5 983Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Karta charakterystyki
5 900Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Karta charakterystyki
2 715Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Karta charakterystyki
5 985Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Karta charakterystyki
5 992Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
5 109Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
Karta charakterystyki
6 484Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba ESD Protection Diodes / TVS Diodes AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
Karta charakterystyki
6 225Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
Karta charakterystyki
11 116Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
Karta charakterystyki
5 779Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Toshiba Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Karta charakterystyki
7 689Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000