Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 305.72 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

941-CGHV27030S

Nr prod.:

CGHV27030S

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Karta charakterystyki:

CGHV27030S Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CGHV27030S

Na stanie magazynowym: 419

Stany magazynowe:: 419 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	305,72 zł	305,72 zł
	254,52 zł	2 545,20 zł
	243,77 zł	6 094,25 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
	243,77 zł	60 942,50 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-12
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3.6 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	12 W
Marka:	MACOM
Konfiguracja:	Single
Wzmocnienie:	21 dB
Maksymalne napięcie dren-bramka:	50 V
Maksymalna częstotliwość robocza:	2.7 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	0 Hz
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Moc wyjściowa:	30 W
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	250
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V, 2 V
Jednostka masy:	282,130 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CGHV27030S Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.