Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Rodzaje tranzystorów

Zmień widok kategorii
Wyniki: 103
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora
Toshiba Bipolar Transistors - BJT SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz 259 297Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 129 045Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-563-6 NPN, PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 146 103Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT CST-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A 14 638Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP

Toshiba Bipolar Transistors - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V 11 261Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 109 414Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V 91 544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz 114 323Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 800V 5A 4 062Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-N-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 3 000Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 9 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 966Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans 17 495Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT323 50V 6 284Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz 5 979Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8 372Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 463Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-416-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 1 171Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 27.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV 2 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMV-5 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 22 533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 153 351Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W 3 007Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1 312Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 857Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 230V 15A 1 769Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN